等離子去膠機是半導體、微電子、光電子、微納加工等領域的核心精密等離子體處理設備，核心以氧氣為主要工作氣體，在真空環境中產生高活性的氧等離子體，實現對晶圓、基片、器件表面光刻膠的干法無損傷剝離，是光刻工藝后不可少的配套處理設備。該設備區別于傳統濕法去膠工藝，全程無化學試劑參與，無濕法腐蝕、無試劑殘留，適配微納結構器件的高精度加工要求，同時兼具綠色環保、去膠的特點，是微納制造工藝中實現光刻膠準確去除的關鍵設備。
 

　　等離子去膠機的核心工作邏輯圍繞“真空環境構建-氧等離子體生成-光刻膠氧化分解-氣態產物排出”展開，以化學氧化作用為主、輕微物理轟擊作用為輔，全程在密閉的真空腔室內完成，所有工藝參數均可準確調控，核心步驟如下：
 

　　真空腔室抽真空：將待去膠的晶圓/基片平穩放置在腔室的晶圓承載臺上，關閉腔室后，由真空泵將腔室內抽至工藝所需的真空度，真空環境是等離子體穩定生成的前提，同時可避免空氣中的雜質干擾去膠反應、污染器件表面。
 

　　工作氣體通入與等離子體生成：向真空腔室內通入定量的高純氧氣(部分場景可根據需求摻入氬氣、氮氣等輔助氣體)，通過射頻電源(主流為電容耦合式射頻電源)向腔室施加高頻電場，將氧氣分子電離，形成由氧自由基、氧離子、電子和中性粒子組成的高活性氧等離子體，腔室內會呈現出均勻的淡藍色等離子體輝光，輝光的均勻性直接決定去膠效果的一致性。
 

　　光刻膠氧化分解：高活性的氧自由基是去膠的核心“氧化劑”，會與光刻膠的有機高分子鏈發生強烈的鏈式氧化反應，將復雜的有機光刻膠分子分解為二氧化碳、水、一氧化碳等小分子氣態物質；同時，帶微弱動能的氧離子會對器件表面產生輕微的物理轟擊，一方面讓光刻膠表層的氧化分解產物快速脫離器件表面，另一方面讓新鮮的氧等離子體與下層未反應的光刻膠充分接觸，加速整體去膠反應的進程，保證去膠效率。
 

　　氣態產物排出：光刻膠分解產生的氣態小分子，以及未參與反應的少量氣體，會被真空泵持續抽離真空腔室，經尾氣處理系統(除酸、除雜)無害化處理后排出，實現器件表面光刻膠的剝離，同時獲得潔凈、無殘留的器件表面。
 

　　整個去膠過程中，等離子去膠機可通過調控射頻功率、氣體流量、真空度、去膠時間和腔室溫度，準確控制氧化反應的強度和速率，適配不同光刻膠類型和器件工藝的去膠要求，還支持原位去膠，可直接銜接光刻、刻蝕等上下游工藝，減少器件轉移過程中的污染。